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ONSEMI
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：12.4A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,13A N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，60A，8mΩ 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的
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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 60 A, 8 m廓
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N-Channel Dual CoolTM Power Trench짰 MOSFET 100 V, 60 A, 7.5 m廓
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DUAL COOL??PACKAGE POWERTRENCH짰 MOSFETs
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