FDMS86101
ONSEMI
安森美半导体公司
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):12.4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,13A N 沟道,PowerTrench MOSFET,100V,60A,8mΩ 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的
FDMS86101
ON/安森美
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ON
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