FDB1D7N10CL7
onsemi
30000
D2PAK(TO-263)
FDB1D7N10CL7
ONSEMI
115600
NA
FDB1D7N10CL7
onsemi(安森美)
8357
TO-263-6
FDB1D7N10CL7
onsemi(安森美)
7350
TO2636
FDB1D7N10CL7
ON(安森美)
8735
NA/
FDB1D7N10CL7
1983
FDB1D7N10CL7
onsemi(安森美)
6000
TO2636
FDB1D7N10CL7
ON
25000
D2PAK-7 / TO-263-7
FDB1D7N10CL7
onsemi
9000
NA
FDB1D7N10CL7
ON-安森美
83500
TO-263-7
FDB1D7N10CL7
ON-安森美
2368
TO-263-3
FDB1D7N10CL7
INFINEON英飞凌
10000
TO263-7
FDB1D7N10CL7
ON(安森美)
8000
标准封装
FDB1D7N10CL7
ON(安森美)
6000
FDB1D7N10CL7
onsemi
67000
SMD
FDB070AN06A0是一款功率MOSFET芯片,具有高功率密度、低导通电阻、快速开关速度、低漏电流和高温工作能力等特点。它适用于功率转换和控制的应用,如电源管理、电机驱动、逆变器和电动车辆等领域。
发布时间:2023-06-21