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Infineon
英飞凌科技公司
Highly insulated module with Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode
FDB070AN06A0是一款功率MOSFET芯片,具有高功率密度、低导通电阻、快速开关速度、低漏电流和高温工作能力等特点。它适用于功率转换和控制的应用,如电源管理、电机驱动、逆变器和电动车辆等领域。
发布时间:2023-06-21