FD200R12KE3供应商库存(更新时间:2025-06-01 15:01)
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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深圳市汇莱威科技有限公司
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深圳市华睿芯科技有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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天津市博通航睿技术有限公司
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Infineon Technologies
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深圳市纳艾斯科技有限公司
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中天科工半导体(深圳)有限公司
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深圳市昌和盛利电子有限公司
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深圳市亿智腾科技有限公司
联系人:肖先生
电话:陆先生0755-82566711肖先生0755-82791230
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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深圳市勤思达科技有限公司
联系人:朱小玲
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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FD200R12KE3
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江苏芯钻时代电子科技有限公司
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地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
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深圳市科芯源微电子有限公司
联系人:林佳伟
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北京天阳诚业科贸有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
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深圳市德力诚信科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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上海意淼电子科技有限公司
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深圳市拓亿芯电子有限公司
联系人:李小姐/刘先生
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地址:深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋603室
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中宸芯科技(深圳)有限公司
联系人:张先生
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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FD200R12KE3参数规格
功能描述:IGBT 模块 1200V 200A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FD200R12KE3价格
参考价格:666.3091
型号:FD200R12KE3
品牌:Infineon
说明:FD200R12KE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,FD200R12KE3批发/采购报价,FD200R12KE3行情走势销售排行榜,FD200R12KE3报价。
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FCR684205T
发布时间:2023-10-17
FDB070AN06A0是一款功率MOSFET芯片,具有高功率密度、低导通电阻、快速开关速度、低漏电流和高温工作能力等特点。它适用于功率转换和控制的应用,如电源管理、电机驱动、逆变器和电动车辆等领域。
发布时间:2023-06-21
FDB120N10
发布时间:2021-11-08