FCP21N60N供应商库存(更新时间:2024-06-05 10:02)
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HMS21N60
VBSEMI
29600
TO-220
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VB
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TO-220
2019
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HMS21N60
HMSEMI
78800
TO-220-3
24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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HMS21N60A
VBSEMI
29600
TO-3P
19+
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深圳兆威电子有限公司
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55000
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2019
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HMS21N60F
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FCP21N60N参数规格
功能描述:MOSFET 600V, NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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