功能描述:TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

参考价格：38.7933

型号：EPC2010 品牌：EPC 说明：EPC2010多少钱，2026年最近一个月行情走势，EPC2010批发/采购报价，EPC2010行情走势销售排行榜，EPC2010报价。