JAPAN
3971
NA/
JAPAN
721
SMD
TI
20000
开发板
58600
N/A
76800
N/A
TI
20000
开发板
78000
N/A
TI
20000
开发板
TI
20000
开发板
TI
20000
开发板
TI
20000
开发板
TI
20000
开发板
TI
20000
开发板
TI
20000
开发板
TI
20000
开发板
InfineonTechnologiesEiceDRIVER™1200V半桥栅极驱动器与自举二极管集成并控制IGBT或碳化硅(SiC)MOSFET功率器件
发布时间:2024-04-09