DME201020R供应商库存(更新时间:2025-05-04 14:18)
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DME201020R参数规格
功能描述:射频双极小信号晶体管 Composite Transistor 2.9x2.8mm Gull Wing RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
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