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Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET
安装类型通孔 数据接口并联 架构乘法DAC 电压-供电，模拟±4.5V~18V 差分输出是 建立时间150?s 位数8 INL/DNL(LSB)- 输出类型Current-Unbuffered 封装/外壳16-DIP（0.300，7.62mm） 工作温度0°C~70°C 参考类型外部 供应商器件封装16-PDIP 数模转换器数1
发布时间：2021-06-17
