GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 750mW – 6V – 1GHz SINGLE ENDED
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
• LOW Crss
• SIMPLE BIAS CIRCUITS
• LOW NOISE (Typical < 2dB NF)
• HIGH GAIN – 8dB MINIMUM
• SURFACE MOUNT
APPLICATIONS
• VHF/UHF COMMUNICATIONS from DC to 2.5 GHz
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