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美国德州仪器公司
20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs
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20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs
联系人：朱R/朱S
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地址：深圳福田区振兴西路华康大厦2栋
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TI
100000
WSON6
21+
FET类型 P-CH 漏源电压 20V 连续漏极电流 20A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8|4.5V 源漏开态电阻 23.9mOhm Vgs(th) 1.1 V Gate Charge (Qg) 4.7nC Vgs (Max) 8V Input Capacitance (Ciss) 655pF 消耗电力 2.9W 动作温度范围 -55 to 150C
联系人：柯小姐 13510157626
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7350
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2016+
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