TI1
20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs
TI1
20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs
联系人：朱R/朱S
电话：0755-29050225/81483445
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地址：深圳福田区振兴西路华康大厦2栋
CSD25310Q2
TI
100000
WSON6
21+
FET类型 P-CH 漏源电压 20V 连续漏极电流 20A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8|4.5V 源漏开态电阻 23.9mOhm Vgs(th) 1.1 V Gate Charge (Qg) 4.7nC Vgs (Max) 8V Input Capacitance (Ciss) 655pF 消耗电力 2.9W 动作温度范围 -55 to 150C
联系人：李先生
电话：0755-83209217
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CSD25310Q2
TI
66800
DFN22
23+
原装现货库存 ;QQ:373621633 3616872778
联系人：李先生
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CSD25310Q2
Texas Instruments
20922
WSON6
24+
TI优势主营型号-原装正品
联系人：李先生
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CSD25310Q2
Texas Instruments
30000
6-WSON(2x2)
24+
晶体管-分立半导体产品-原装正品
联系人：柯小姐 13510157626
电话：0755-82550578
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CSD25310Q2
CCSEMI
9000
DFN2X2-6
19+
