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这款采用2mm×2mm SON封装的30V，12.6mΩNexFET?功率MOSFET的设计被用来降低功率转换中的损耗，并优化5V栅极驱动器.2mm x 2mm SON针对封装尺寸提供了出色的散热性能
作者：深圳兆威电子有限公司
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30-V N-Channel NexFET Power MOSFET
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