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深圳市华斯顿科技有限公司
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CSD16323Q3参数规格
功能描述:MOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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参考价格:3.1124
型号:CSD16323Q3
品牌:TI
说明:CSD16323Q3多少钱,2026年最近一个月行情走势,CSD16323Q3批发/采购报价,CSD16323Q3行情走势销售排行榜,CSD16323Q3报价。
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