CPH3430-TL-E供应商库存(更新时间:2025-10-23 16:44)
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深圳市高捷芯城科技有限公司
联系人:杨先生
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CPH3430-TL-E
onsemi(安森美)
9908
CPH-3
24+
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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CPH3430-TL-E
SANYO/三洋
66540
CPH3
2019+PB
原装正品 可含税交易
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深圳市赛美科科技有限公司
联系人:雷小姐 朱先生
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CPH3430-TL-E
SANYO/三洋
66540
CPH3
新年份
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈!
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深圳市一线半导体有限公司
联系人:云S/廖S
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地址:深圳市福田区福田街道福华社区福虹路4号华强花园C座7A
CPH3430-TL-E
SANYO
15500
SOT-23
24+
新进库存/原装
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中天科工半导体(深圳)有限公司
联系人:李先生
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CPH3430-TL-E
SANYO/三洋
36800
CPH-3
20+
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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深圳市科恒伟业电子有限公司
联系人:李小姐/黄先生
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地址:深圳市福田区振兴路101号华匀大厦1栋5楼B14
CPH3430-TL-E
SANYO/三洋
6540
SOT23
2450+
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!
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询价
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深圳市川科科技有限公司
联系人:刘先生
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手机:13147005145
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地址:深圳市福田区福田街道深南中路3037号南光捷佳大厦2418
CPH3430-TL-E
SANYO-三洋
78800
CPH-3
24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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深圳市科芯源微电子有限公司
联系人:林佳伟
电话:13692203079
手机:13692203079
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CPH3430-TL-E
VB
10000
CPH3
25+
原装正品,假一罚十!
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深圳市润联芯城科技有限公司
联系人:姚先生
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地址:深圳市福田区华强北路1019号华强B座25楼
CPH3430-TL-E
SANYO/三洋
50000
SOT-23
23+
原装正品 支持实单
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深圳市得捷芯城科技有限公司
联系人:肖先生
电话:0755-82538261
手机:19076157484
QQ:
地址:深圳市福田区福田街道福虹路9号世贸广场A座5层
CPH3430-TL-E
SANYO/三洋
9250
NA/
24+
原装现货,当天可交货,原型号开票
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询价
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深圳市宇创芯科技有限公司
联系人:李小姐
电话:0755-83220081
手机:15889311978
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地址:深圳市福田区深南中路南侧南光捷佳大厦1727
CPH3430-TL-E
SANYO/三洋
9600
SOT-23
24+
原装现货,优势供应,支持实单!
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深圳诚思涵科技有限公司
联系人:朱先生曾小姐
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手机:15820783671
QQ:
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
CPH3430-TL-E
SANYO
200000
CPH3
19+
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深圳市纳立科技有限公司
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手机:13590203865
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地址:深圳市福田区华强北振兴路赛格科技园四栋中12楼A4-2M室
CPH3430-TL-E
1983
三年内
只做原装正品
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深圳市安富世纪电子有限公司
联系人:赵妍
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地址:深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17E
CPH3430-TL-E
SANYO
7300
CPH3
23+
专注配单,只做原装进口现货
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瀚佳科技(深圳)有限公司
联系人:李小姐
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地址:深圳市福田区华强北佳和A座2120
CPH3430-TL-E
SANYO
65200
SOT-23
24+
一级代理/放心采购
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深圳诚思涵科技有限公司
联系人:王小姐
电话:0755-82579440
手机:18617036499
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地址:深圳市福田区华强北街道上步路上步工业区101栋五层518室
CPH3430-TL-E
FAIRCHILD/仙童
11016
SOP6
24+
公司现货库存,支持实单
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深圳市威尔健半导体有限公司
联系人:何妮妮
电话:0755-82573210
手机:18124040553
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地址:深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17e
CPH3430-TL-E
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200
CPH3
23+
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深圳市威尔健半导体有限公司
联系人:苏经理
电话:0755-83383789
手机:17302670410
QQ:
地址:深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17e
CPH3430-TL-E
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50000
CPH3
23+
全新原装正品现货,支持订货
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CPH3430-TL-E参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A CPH3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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