BUH51G供应商库存(更新时间:2025-12-27 11:16)
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原装现货,优势供应,支持实单!
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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全新原装正品现货,支持订货
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十年配单,只做原装
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深圳市创新迹电子有限公司
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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BUH51G参数规格
功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 800V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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