BST23C122V
BORN(伯恩半导体)
50000
SOT-23
BST23C122V
BORN
9600
SOT-23
BST23C122V
64000
N/A
BST23C122V
BORN
25000
SOT-23
BST23C122V
BORN
20000
SOT-23
BST23C122V
友台UMW
3000
DIP
BST23C122V
友台
19700
SOT-23
BST23C122V
BORN
143788
车规-元器件
BSS84LT1G 是安森美半导体推出的一款 P 沟道场效应晶体管(MOSFET),采用 SOT-23 封装,适用于 DC-DC 变换器、负载开关等多种应用场合。
发布时间:2025-07-22