PHI
3872
SOT-89
B
12000
SOT23-6
58000
N/A
PHI
12300
TO89
Murata
100000
NEXPERIA/安世
120000
SOT-89
ZETEX
6000
SOT-89
BORN
6000
SOT23-6
恩XP
8800
NA
NK/南科功率
986966
SOT-89-3
ICC / Intervox
1
B
50000
SOT23-6
BORN
880000
SOT23-6
PHI
235
BORN
30000
SOT23-6
BSS84LT1G 是安森美半导体推出的一款 P 沟道场效应晶体管(MOSFET),采用 SOT-23 封装,适用于 DC-DC 变换器、负载开关等多种应用场合。
发布时间:2025-07-22