PHI
8000
BGA
BORN
26800
SOT23-6
SXSEMI
900000
SOT23-6
BORN
45000
SOT23-6
ph
500000
ROHM/罗姆
880000
DIP
恩XP
5070
SOT-89
ZETEX/DIODES
100000
SOT-89
PHI
4200
NA/
恩XP
80000
SOT-89
INFINEON
18766
TSOP-6
PHI
950
SOT-89
恩XP
1000
SOT89
MURATA
6528
DIP
SOT-89
15659
NA
BSS84LT1G是安森美半导体推出的一款P沟道场效应晶体管(MOSFET),采用SOT-23封装,适用于DC-DC变换器、负载开关等多种应用场合。
发布时间:2025-07-22