MURATA/村田
11000
DIP
MURATA/村田
11000
DIP
INFINEON
18766
TSOP-6
PHI
50000
SOT-89
PHI
4200
NA/
恩XP
20000
SMD
PHI
3200
SOT-89
BORN
5000
SOT23-6
PHI
3872
SOT-89
BORN伯恩
9600
SOT23-6
PHI
12300
TO89
PHI
8000
BGA
恩XP
30000
SOT89
64000
N/A
PHI
2987
SOT89
BSS84LT1G 是安森美半导体推出的一款 P 沟道场效应晶体管(MOSFET),采用 SOT-23 封装,适用于 DC-DC 变换器、负载开关等多种应用场合。
发布时间:2025-07-22