BORN伯恩
6990
NA/
BORN
33000
SOT23-6
恩XP
80000
SOT-89
ZETEX/DIODES
100000
SOT-89
PHI
950
SOT-89
PHI
3872
SOT-89
BORN
880000
SOT23-6
PHI
40000
恩XP
1000
SOT89
SOT-89
15659
NA
BORN
25000
SOT23-6
BORN伯恩
50000
SOT23-6
BORN
30000
SOT23-6
PHI
235
PHI
50000
SOT-89
BSS84LT1G 是安森美半导体推出的一款 P 沟道场效应晶体管(MOSFET),采用 SOT-23 封装,适用于 DC-DC 变换器、负载开关等多种应用场合。
发布时间:2025-07-22