PHI
4200
NA/
恩XP
80000
SOT-89
ZETEX/DIODES
100000
SOT-89
PHI
950
SOT-89
ROHM/罗姆
880000
DIP
BORN
25000
SOT23-5
恩XP
1000
SOT89
PHI
950
SOT-89
PHI
2987
SOT89
PHI
10000
new
SOT-89
15659
NA
PHI
8000
BGA
PHI
3200
SOT-89
IVOX
455
PHI
235
BSS84LT1G 是安森美半导体推出的一款 P 沟道场效应晶体管(MOSFET),采用 SOT-23 封装,适用于 DC-DC 变换器、负载开关等多种应用场合。
发布时间:2025-07-22