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深圳市星佑电子有限公司
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深圳市鑫炜纳电子有限公司
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富凯科技(深圳)有限公司
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深圳市科芯源微电子有限公司
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深圳诚思涵科技有限公司
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深圳市广霖泰科技有限公司
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深圳市纳艾斯科技有限公司
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深圳市中联芯电子有限公司
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深圳市明嘉莱科技有限公司
联系人:王先生/刘小姐
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深圳市百诺芯科技有限公司
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深圳市恒达亿科技有限公司
联系人:夏先生/朱小姐
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全新原装、诚信经营、公司现货销售
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BSM50GB120DN2参数规格
功能描述:IGBT 模块 1200V 50A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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