BC848CDXV6T1G供应商库存(更新时间:2025-08-02 17:32)
BC848CDXV6T1G参数规格
功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
-
BC848CDXV6T1G
-
ONSEMI
-
ONSEMI/安森美
SOT-563
-
查看库存
-
资料下载
BC848CDXV6T1G相关新闻
BCM1101COKPB
发布时间:2023-10-10
功率电感器使用磁性金属材料作为磁芯材料,尺寸减小了35%
发布时间:2023-02-24
BC95B8HB-02-STD
发布时间:2022-05-18
www.hfxcom.com
发布时间:2021-10-12
www.jskj-ic.com
发布时间:2021-06-30