RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
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RF Power LDMOS Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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1800–2200 MHz, 32 W AVG., 48 V AIRFAST RF POWER GaN TRANSISTOR
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1805–2200 MHz, 107 W AVG., 48 V AIRFAST RF POWER GaN TRANSISTOR
RF Power LDMOS Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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