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美国万国半导体
600V, a MOS5 TM N-Channel Power Transistor
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美国万国半导体
600V,aMOS5TM N-Channel Power Transistor
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美国万国半导体
High short-circuit ruggedness
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美国万国半导体
650V, 10A AlphaIGBTTM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
联系人：刘小姐
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原装正品现货
