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深圳市惊羽科技有限公司
联系人:刘先生
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深圳诚思涵科技有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳诚思涵科技有限公司
联系人:王小姐
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地址:深圳市福田区华强北街道上步路上步工业区101栋五层518室
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深圳市星辰微电科技有限公司
联系人:雷先生
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地址:深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3011号上步工业区13栋上步工业区501栋501栋411
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深圳市赛特兴科技有限公司
联系人:朱小姐
电话:0755-83210599
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地址:深圳市福田区华强北路1016号宝华大厦A座1201A室
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深圳市威尔健半导体有限公司
联系人:苏经理
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手机:17302670410
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地址:深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17e
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AON6912A参数规格
功能描述:MOSF 2N-CH 30V 10A/13.8A DFN5X6B RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
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