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4PS01512E33G30862供应商库存（更新时间：2025-07-30 11:27）

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4PS01512E33G30862参数规格

功能描述:IGBT 模块 RoHS:否制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

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