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瑞萨科技有限公司
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
商品目录 气体放电管（GDT） 直流击穿电压(最小值) - 直流击穿电压(最大值) - 极间电容 2pF 精度 ±20%_ 脉冲放电电流 10kA 直流击穿电压(典型值) 90V 电极数 3
发布时间：2021-07-07
