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VBSEMI
微碧半导体（台湾）有限公司
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3A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
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商品目录气体放电管（GDT） 直流击穿电压(最小值)- 直流击穿电压(最大值)- 极间电容2pF 精度±20%_ 脉冲放电电流10kA 直流击穿电压(典型值)90V 电极数3
发布时间：2021-07-07
