3N163-E3供应商库存(更新时间:2025-08-01 17:46)
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千层芯半导体(深圳)有限公司
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3N163-E3
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3N163-E3参数规格
功能描述:MOSFET 40V 5mA 375mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
3N163-E3价格
参考价格:103.7629
型号:3N163-E3
品牌:VISHAY
说明:3N163-E3多少钱,2025年最近一个月行情走势,3N163-E3批发/采购报价,3N163-E3行情走势销售排行榜,3N163-E3报价。
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商品目录气体放电管(GDT)
直流击穿电压(最小值)-
直流击穿电压(最大值)-
极间电容2pF
精度±20%_
脉冲放电电流10kA
直流击穿电压(典型值)90V
电极数3
发布时间:2021-07-07