3DD6E
ISC
无锡固电半导体股份有限公司
isc Silicon NPN Power Transistor
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Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 50V(Min)
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Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min)
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Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min)
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Silicon NPN Power Transistors
深圳市纳艾斯科技有限公司
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