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2SJ661-DL-E供应商库存（更新时间：2025-05-10 16:16）

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深圳市惊羽科技有限公司

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地址：深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室
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深圳市华来深电子有限公司

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电话：0755-83238902/15013580756

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地址：深圳市福田区上步工业区205栋4楼4B35/门市部:深圳市福田区华强北路国利大厦新亚洲二期N2B227
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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2SJ661-DL-E参数规格

功能描述:MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件