功能描述:JFET P-CH 65V 20MA NS-B1 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds(Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流(Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 电压 - 切断(VGS 关）@ Id:180mV @ 1µA 输入电容(Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷(TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW