2SB1203T-H-TL-E供应商库存(更新时间:2025-08-08 21:04)
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深圳市纳立科技有限公司
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2SB1203T-H-TL-E
1983
三年内
只做原装正品
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深圳市南科功率半导体有限公司
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2SB1203T-H-TL-E
NK/南科功率
986966
TO-252
2025+
国产
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NK/南科功率
2500
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2025+
国产南科平替供应大量
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2SB1203T-H-TL-E参数规格
功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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2SB1203T-H-TL-E
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ON Semiconductor
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www.jskj-ic.com
发布时间:2021-08-04
商品目录 气体放电管(GDT)
脉冲放电电流 3kA
直流击穿电压(最小值) -
极间电容 1pF
电极数 2
直流击穿电压(最大值) -
直流击穿电压(典型值) 75V
精度 ±20%
发布时间:2021-07-07
2RL600L-5,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五,八五二七四六六二 ,企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.
发布时间:2021-06-15