2N5551TAR_Q供应商库存(更新时间:2026-02-03 12:27)
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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深圳市华来深电子有限公司
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深圳市盈慧通电子有限公司
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深圳市富利微电子科技有限公司
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深圳市恒凯威科技开发有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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上海磐岳电子有限公司
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深圳市腾亿芯科技有限公司
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深圳市宇创芯科技有限公司
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深圳市昌和盛利电子有限公司
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深圳市纳立科技有限公司
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现代芯城(深圳)科技有限公司
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深圳市广霖泰科技有限公司
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深圳市勤思达科技有限公司
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
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地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
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深圳市百诺芯科技有限公司
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地址:深圳市福田区华强北街道上步工业区新欣大厦B座405
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深圳市赛特兴科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市凌旭科技有限公司
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地址:深圳市福田区红荔路上步工业区501栋407
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深圳市华斯顿科技有限公司
联系人:朱先生-余先生-夏小姐-张小姐
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地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼/市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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深圳市英科美电子有限公司
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地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋730
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富凯科技(深圳)有限公司
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2N5551TAR_Q参数规格
功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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