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STGF8NC60KD供应商库存(更新时间:2024-06-14 20:00)

STGF8NC60KD参数规格

功能描述:IGBT 晶体管 N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

STGF8NC60KD价格

参考价格:5.1917

型号:STGF8NC60KD 品牌:STMicroelectronics 说明:STGF8NC60KD多少钱,2024年最近一个月行情走势,STGF8NC60KD批发/采购报价,STGF8NC60KD行情走势销售排行榜,STGF8NC60KD报价。

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