STD50NH02L-1供应商库存(更新时间:2024-06-03 20:54)
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深圳市天芯威科技有限公司
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STD50NH02L-1
ST
30000
TO-251
22+
原装正品
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深圳市汇莱威科技有限公司
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地址:深圳市福田区华富路1046号华康大夏2栋503
STD50NH02L-1
ST
589220
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司
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STD50NH02L-1
ST/意法
12800
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本公司只做进口原装!优势低价出售!
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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STD50NH02L-1
ST/意法
5340
NA/
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原厂直销,现货供应,账期支持!
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深圳市博浩通科技有限公司
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STD50NH02L-1
STMicro.
7750
IPAKTO-251
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全新原装优势
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深圳市远进半导体有限公司
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STD50NH02L-1
ST
25000
TO-251
22
3月31原装,微信报价
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瀚佳科技(深圳)有限公司
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STD50NH02L-1
ST
16800
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绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
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深圳市汇莱威科技有限公司
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STD50NH02L-1
ST/意法
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TO-251
假一罚十,原包原标签,常备现货
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深圳市惊羽科技有限公司
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STD50NH02L-1
ST-意法半导体
78800
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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深圳市瑞浩芯科技有限公司
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25000
TO-251
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全新原装现货,假一赔十
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深圳市佳杰伟业科技有限公司
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STD50NH02L-1
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优势代理渠道,原装现货,可全系列订货
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深圳市恒创达实业有限公司
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STD50NH02L-1
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TO-251
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深圳市安富世纪电子有限公司
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STD50NH02L-1
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8000
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只做原装现货
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深圳市一线半导体有限公司
联系人:云S/廖S
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手机:17727932378
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地址:深圳市福田区福田街道福华社区福虹路4号华强花园C座7A
STD50NH02L-1
ST
1191
TO-251
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深圳市创新迹电子有限公司
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STD50NH02L-1
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SOT-252
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只做原装进口现货,专注配单
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深圳市吉中创电子科技有限公司
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STD50NH02L-1
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25000
TO-251
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原厂/代理渠道 价格优势
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深圳市宏世佳电子科技有限公司
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全新原厂原装产品、公司现货销售
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深圳市君亿电子科技有限公司
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地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区赛格科技园4栋7层A轴与14-21轴A03
STD50NH02L-1
ST
8700
TO-251
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原装现货
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深圳市国宇半导体科技有限公司
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STD50NH02L-1
ST/意法
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公司只做原装正品
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深圳市振芯物联科技有限公司
联系人:张先生(公司为一般纳税人,可开13%增票)
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手机:18823845059
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地址:深圳市福田区华强北街道红荔路上步工业区501栋402室
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只做原装正品现货假一赔十一级代理
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深圳市河锋鑫科技有限公司
联系人:杨小姐
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地址:深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1078号现代之窗A座、B座A座9D
STD50NH02L-1
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6000
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十年配单,只做原装
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深圳市航润创能电子集团有限公司
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深圳市保之丰科技有限公司
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STD50NH02L-1
VBsemi
20003
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深圳市弘为电子有限公司
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地址:深圳市福田区华强北鼎城国际2011
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深圳市安富世纪电子有限公司
联系人:小庄
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地址:深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17e
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
联系人:连小若
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柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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深圳市勤思达科技有限公司
联系人:朱小玲
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地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A4-2L
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ST
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STD50NH02L-1参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:STripFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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STD80N450K6800V10AMDmeshK6功率MOSFET
发布时间:2024-01-06
STD95N4LF3
发布时间:2023-04-10
STDP2650ADT
发布时间:2022-11-15
製造商:STMicroelectronics
產品類型:MOSFET
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝/外殼:TO-252-3
晶體管極性:P-Channel
通道數:1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓:40V
Id-C連續漏極電流:36A
RdsOn-漏-源電阻:17.5mOhms
Vgs-閘極-源極電壓:-20V,+20V
Vgsth-門源門限電壓:2.5
发布时间:2021-06-09