SQD50N05-11L_GE3供应商库存(更新时间:2024-05-31 11:12)
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SQD50N05-11L_GE3
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SQD50N05-11L_GE3
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SQD50N05-11L_GE3
VISHAY(威世)
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SQD50N05-11L_GE3
VISHAY(威世)
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SQD50N05-11L_GE3
Vishay
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SQD50N05-11L_GE3
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SQD50N05-11L_GE3
Vishay(威世)
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SQD50N05-11L_GE3
Vishay(威世)
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SQD50N05-11L_GE3
VISHAY/威世
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SQD50N05-11L_GE3
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SQD50N05-11L_GE3
VISHAY
3675
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SQD50N05-11L_GE3参数规格
功能描述:MOSFET 50V 50A 75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQD50N05-11L-GE3价格
参考价格:4.5042
型号:SQD50N05-11L-GE3
品牌:Vishay
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