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RU40120R40V/120ATO220N沟道功率MOSFET RU40120R,漏源导通电阻3.5mΩ 漏源电压VDS为40V,TC=25℃时漏极连续电流ID为120A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为3.5mΩ(VGS=10V,IDS=60A)。
RU40D20M3
RU30L30M,P沟道30V30A,场效应管(MOSFET)