NP82N04PDG-E1-AY供应商库存(更新时间:2024-05-24 11:36)
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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NP82N04PDG-E1-AY
Renesas
37650
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深圳市百视威讯电子科技有限公司
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NP82N04PDG-E1-AY
48800
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正品授权货源可靠
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NP82N04PDG-E1-AY
NEC
50000
TO263
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全新原装正品现货,支持订货
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NP82N04PDG-E1-AY
Renesas
37650
TO-263
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司
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NP82N04PDG-E1-AY
RenesasElectronicsAmeric
65500
TO-263-3
2019+
D2Pak(2Leads+Tab)
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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NP82N04PDG-E1-AY
NEC
6852
TO263
1948+
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深圳市汇莱威科技有限公司
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NP82N04PDG-E1-AY
68900
TO263
NEC
原包原标签100%进口原装常备现货!
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京海半导体(深圳)有限公司
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NP82N04PDG-E1-AY
NEC
10000
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原装现货假一罚十
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深圳市惊羽科技有限公司
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电话:实-单-专-线----131-4700-5145-----有-问-秒-回
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NP82N04PDG-E1-AY
RENESAS-瑞萨
78800
TO-263-3
24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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NP82N04PDG-E1-AY参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 40V 82A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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规格
产品属性属性值搜索类似
制造商:GigaDevice
产品种类:NOR闪存
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:WLCSP-8
系列:GD25LE64E
存储容量:64Mbit
电源电压-最小:1.65V
电源电压-最大:2V
接口类型:SPI
最大时钟频率:133MHz
组织:8Mx8
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TJA1051T/1
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