摘要：进口代理
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 212 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 52 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 259 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Tube
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 9.3 ns
正向跨导 - 最小值: 138 S
高度: 16.51 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.3 ns
系列: CSD18502KCS
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子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 4.7 mm
单位重量: 2 g
