TAJC106K035RNJ_TAJC106K035RNJ导读
今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。
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TAJC685M025RNJ
对于P型MOS管，若S的电压比G处高（G、S间存在压差，具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会导通（电压方向S指向D），此时D、S间相当于一个很小的电阻，若G、S之间为低（具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会截止 ，此时D、S间相当于一个很大的电阻，电流就无法流过。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
MOS管和三极管类似，只不过 MOS管是压控压型（电压控制），而三极管是流控流型（电流控制）。。至于MOS管的使用，N型与P型存在区别，对于应用，我们只需要知道： 1、对于N型MOS管，若G的电压比S处高（G、S间存在压差，具体电平看具体MOS管 ），D、S（电压方向D指向S）之间就会导通，此时D、S间相当于一个很小的电阻，若G、S之间为低（具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会截止，此时D、S间相当于一个很大的电阻，电流就无法流过。
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
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TAJC157K010RNJ
0603180R5%_06031M5%_06032.2K5%_0603220R5%_060322K5%_。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。 GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。
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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
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