TAJB226M020RNJ_TAJB226M020RNJ导读
而这款场效应管NCE80H12背后的新洁能利用自身技术优势，与8英寸晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的质量管理体系，确保产品的持续品质和稳定供货。
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TAJD106M025RNJ
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。
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TAJE158K004RNJ
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BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
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总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。
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