摘要:NVTFS5124PLTWG
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel? 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
260 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
250 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3W(Ta),18W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-WDFN(3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
NVTFS5124