042N03L_042N03L导读
内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。
小功率mos是平面型结构。而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。
042N03L_042N03L
0603560K5%_SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
04023.3K1%_04023.6K5%_040233R5%_0402470K5%_040247K1%_。
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
04021.5K5%_04021.6K1%_04021.8K5%_040210K1%_0402200K5%_。
042N03L_042N03L
020-354-901
040251K1%_040251R5%_040268K1%_04028.2K5%_0402E4872BITS 。
03P2J-T1-AZ 03P2M 03P2M-T 03P4J-T1 03P4J-T2 。
0603180R5%_06031M5%_06032.2K5%_0603220R5%_060322K5%_。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
042N03L_042N03L
一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。
t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。
相关资讯
