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NTJD4105CT2G

来源: 深圳市瑞冠伟业科技有限公司 发布时间:2021-11-24

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摘要:NTJD4105CT2G
製造商: onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-363-6
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 27 V, 10.5 V
Id - C連續漏極電流: 630 mA, 775 mA
Rds On - 漏-源電阻: 290 mOhms, 220 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 12 V, + 12 V, - 8 V, + 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 920 mV, 830 mV
Qg - 閘極充電: 1.3 nC, 2.2 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 270 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: onsemi
配置: Dual
下降時間: 506 ns, 36 ns
互導 - 最小值: 2 S
高度: 0.9 mm
長度: 2 mm
產品: MOSFET Small Signal
產品類型: MOSFET
上升時間: 227 ns, 23 ns
系列: NTJD4105C
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
類型: MOSFET
標準斷開延遲時間: 786 ns, 50 ns
標準開啟延遲時間: 83 ns, 13 ns
寬度: 1.25 mm
每件重量: 7.500 mg

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