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SI4840BDY-T1-GE3

来源: 深圳市胜彬电子有限公司 发布时间:2021-09-17

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摘要:P-Channel MOSFET , SMD/SMT MOSFET , SMD/SMT 1 Channel P-Channel MOSFET , SMD/SMT N-Channel MOSFET , GaN MOSFET , N-Channel 3.3 V MOSFET
规格
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 19 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 50 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
产品类型: MOSFET
系列: SI4
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
零件号别名: SI4840BDY-GE3
单位重量: 750 mg

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