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深圳毅创辉电子供应 IPW60R190C6

来源: 深圳市毅创辉电子科技有限公司 发布时间:2021-08-28

公司名: 深圳市毅创辉电子科技有限公司

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摘要:www.58chip.com
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 20.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 63 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 151 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品类型: MOSFET
系列: CoolMOS C6
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.21 mm
零件号别名: SP000621160 IPW6R19C6XK IPW60R190C6FKSA1
单位重量: 6 g

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