您好,欢迎来到97ic电子库存网!收藏本站
您所在的位置:首页行业新闻NCE8010S

NCE8010S

来源: 深圳市百域芯科技有限公司 发布时间:2021-07-29

公司名: 深圳市百域芯科技有限公司

联系人:许小姐

手机:13546881014

电话:400-666-5385

地址:深圳市福田区华强北都会轩4507

摘要:NCE8010S
NCE8010S_NCEP25N10AK导读

作为驱动部分的开关管,MOS管的主要被关注点是耐压,耐流值以及开关速度。MOS管是电压驱动型器件,只要栅极G和源级S间给一个适当电压,源级S和D间导电通路就形成。

这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流(当然和其它因素有关,如热阻)。内阻越小承受电流越大(因为发热小)。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻,也就是导通电阻。



NCE8010S_NCEP25N10AK



NCE60H10F
NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。

按照对汽车行驶性能作用的影响划分,可以把汽车电子产品归纳为两类:一类是汽车电子控制装置,汽车电子控制装置要和车上机械系统进行配合使用,即所谓“机电结合”的汽车电子装置;它们包括发动机、底盘、车身电子控制。。

NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。



NCE8010S_NCEP25N10AK



NCEP080N10
MOS管3306产品主要参数漏源极电压:60V 栅源电压:±25V 连续漏电流:80A/60A 脉冲漏电流:300A 雪崩电流:21.5A 雪崩能量:462.25MJ。

一般特征 ● V DS = 30V,I D = 95A R DS(ON) <5.1mΩ@ V GS = 10V R DS(ON) <8.5mΩ@ V GS = 5V ● 高密度电池设计,超低Rdson ● 全面表征雪崩电压和电流 ● 良好的稳定性和均匀性高? AS ● 出色的封装,散热效果好。

NCE2012 NCE20H10G NCE20H11 NCE3406N NCE2014ES 。

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。

NCE8010S_NCEP25N10AK



NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。

NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。



相关资讯



该公司相关新闻