该碳化硅 STPOWER MOSFET 器件采用先进且创新的第三代 SiC MOSFET 技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的 R DS(ON) ，并结合低电容和极高的开关操作，从而提高了频率、能效、系统尺寸和重量方面的应用性能。
特征
×芯片尺寸上的增强 R和×Q g上的R 增强 可提高逆变器效率，从而为电动汽车获得额外的里程
非常高的额定电压允许电动汽车快速直流充电
非常快的本征二极管可实现电动汽车车载充电器的双向性
甚高频能力涉及较小系数的系统
具有顶部冷却功能的先进表面安装 (SMD) HU3PAK 封装可实现更小的外形尺寸、更高的设计灵活性和更好的热性能，同时提高功率密度
