制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DirectFET-ME
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 217 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 123 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 96 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 58 ns
正向跨导 - 最小值: 370 S
高度: 0.7 mm
长度: 6.35 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 70 ns
4800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 68 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
宽度: 5.05 mm
单位重量: 500 mg
